Enhanced impurity-limited mobility in ultra-scaled Si nanowire junctionless field-effect transistors
Enhanced impurity-limited mobility in ultra-scaled Si nanowire junctionless field-effect transistors
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超大规模硅纳米线无结场效应晶体管中增强的杂质限制迁移率
DOI：
10.1063/1.4937901
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Nobuyuki Sano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akiko Ueda;Mathieu Luisier;and Nobuyuki Sano
