T.Aiba, K.Yamauchi, Y.Shimizu, N.Tate, M.Katayama, T.Hattori: "Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si (100)-2*1 Surface" Jpn. J.Appl. Phys.34-2B. 707-711 (1995)
T.Aiba, K.Yamauchi, Y.Shimizu, N.Tate, M.Katayama, T.Hattori: "Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si (100)-2*1 Surface" Jpn. J.Appl. Phys.34-2B. 707-711 (1995)
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T.Aiba、K.Yamauchi、Y.Shimizu、N.Tate、M.Katayama、T.Hattori：“氢封端 Si (100)-2*1 表面氧化的初始阶段”Jpn。
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