300 mm SOI基板上に作製したSiフォトニックデバイスの精密特性評価
300 mm SOI基板上に作製したSiフォトニックデバイスの精密特性評価
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在 300 mm SOI 衬底上制造的硅光子器件的精确表征
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山田 博仁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
相馬 宗厳;平野 秀;北 智洋;田主 裕一朗;関 三好;外山 宗博;佐野 作;堀川 剛;山田 博仁
