「半導体物理に基づく界面エンジニアリング」による5 V級正極LiNi0.5Mn1.5O4/集電体界面抵抗の低減
「半導体物理に基づく界面エンジニアリング」による5 V級正極LiNi0.5Mn1.5O4/集電体界面抵抗の低減
复制标题
通过“基于半导体物理的界面工程”降低5V级正极LiNi0.5Mn1.5O4/集流体界面电阻
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
一杉 太郎
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
西尾 和記;今関 大輔;中山 亮;清水 亮太;一杉 太郎
