Bound Excitons in Semiconductors
Bound Excitons in Semiconductors
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半导体中的束缚激子
DOI：
10.1007/978-3-642-81368-9_3
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发表时间：
1979
影响因子：
3.7
通讯作者：
D. Herbert
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. J. Dean;D. Herbert
我们试图全面地说明半导体中束缚激子的性质和性质。我们还没有试图给出一个全面的调查，在所有的半导体中，这些影响已被可靠地确定的BE的属性。这种尝试是注定要失败的，而不是在一个文本的非传统层面。相反，我们认为BE的主要特点和它们提供的基本信息都在主机半导体的性质和杂质或缺陷的激子被本地化。这些基本属性是通过参考系统来说明的，有时是由于与该主题自20世纪50年代中期起源以来的历史发展有关的原因，有时是由于所选系统中的属性特别清晰，有时是由于本作者的偏见，我们希望不要过于频繁。
We have attempted a comprehensive account of the nature and properties of bound excitons (BE) in semiconductors. We have not attempted to give a comprehensive survey of the properties of BE in all semiconductors where these effects have been reliably identified. Such attempts are foredoomed to failure other than in a text of encyclopaedic dimension. Rather, we consider the main characteristics of BE and the essential information they provide both on the nature of the host semiconductor and of the impurity or defect at which the exciton is localised. The essential properties are illustrated by reference to systems selected sometimes for reasons associated with the historical development of the subject since its genesis in the mid 1950s, sometimes because of the particular clarity of properties in the chosen system and sometimes, we hope not excessively frequently, because of the prejudices of the present authors.
光响应 N 混合液晶，介电常数可实现 10^4 至 10^2 的剧烈变化
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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作者：
森川響二朗;竹内智章;北森武彦;西川浩矢
通讯作者：
西川浩矢
影响因子：
--
作者：
J. Merz;R. A. Faulkner;P. J. Dean
通讯作者：
J. Merz;R. A. Faulkner;P. J. Dean