Development of thin film transistor using an amorphous mixed-anion semiconductor a-ZnOS
Development of thin film transistor using an amorphous mixed-anion semiconductor a-ZnOS
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使用非晶混合阴离子半导体a-ZnOS的薄膜晶体管的开发
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tetsuya Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhen Chen;Yasushi Hirose;Tetsuya Hasegawa
