Analytical expression for temporal width characterization of radiation-induced pulse noises in SOI CMOS logic gates
Analytical expression for temporal width characterization of radiation-induced pulse noises in SOI CMOS logic gates
复制标题
SOI CMOS 逻辑门中辐射引起的脉冲噪声的时间宽度表征的解析表达式
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hirose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Kobayashi;T. Makino;K. Hirose
