Localized Levels of Low-Temperature-Grown InxGa1-xAs on InP Substrates
Localized Levels of Low-Temperature-Grown InxGa1-xAs on InP Substrates
复制标题
InP 衬底上低温生长 InxGa1-xAs 的局部能级
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Kadoya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Tsurisaki;Y. Tominaga;M. Deura;and Y. Kadoya
