Analysis of strain in ultra-thin GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs single quantum well structures by channeling technique
Analysis of strain in ultra-thin GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs single quantum well structures by channeling technique
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利用沟道技术分析超薄 GaAs/In0.2Ga0.8As/GaAs 单量子阱结构的应变
DOI：
10.1016/0168-583x(95)01081-5
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Gillin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Kozanecki;J. Kaczanowski;B. Sealy;W. Gillin
