ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga2O3基板上に成長したκ-Ga2O3薄膜の構造解析
ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga2O3基板上に成長したκ-Ga2O3薄膜の構造解析
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采用雾气CVD法在(-201)β-Ga2O3衬底上生长的κ-Ga2O3薄膜的结构分析
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉本昌広
中科院分区：
文献类型：
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作者：
梶田優気;西中浩之;新田 悠汰;吉本昌広
