All-Optical Depletion of Dark Excitons from a Semiconductor Quantum Dot
All-Optical Depletion of Dark Excitons from a Semiconductor Quantum Dot
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半导体量子点暗激子的全光耗尽
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Gershoni
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Schmidgall;I. Schwartz;D. Cogan;L. Gantz;T. Heindel;S. Reitzenstein;D. Gershoni
半导体量子点被认为是制作按需单光子源的主要场所。然而，长寿命暗激子的产生对这些源的效率施加了显著的限制。我们演示了一种利用中间激发双激子态光学泵浦暗激子布居并将其转换为亮激子布居的技术。我们的实验表明，我们的方法大大减少了DE布居，同时使触发的亮激子发射加倍，从而接近量子点耗尽的近单位保真度。
Semiconductor quantum dots are considered to be the leading venue for fabricating on-demand sources of single photons. However, the generation of long-lived dark excitons imposes significant limits on the efficiency of these sources. We demonstrate a technique that optically pumps the dark exciton population and converts it to a bright exciton population, using intermediate excited biexciton states. We show experimentally that our method considerably reduces the DE population while doubling the triggered bright exciton emission, approaching thereby near-unit fidelity of quantum dot depletion.
量子点亚稳态自旋封锁双激子的辐射级联
影响因子：
3.7
作者：
Kodriano Y
通讯作者：
Kodriano Y
影响因子：
19.6
作者：
Poem, E.;Kodriano, Y.;Gershoni, D.
通讯作者：
Gershoni, D.
DOI：
10.1002/pssc.200777634
发表时间：
2008
期刊：
physica status solidi c
影响因子：
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作者：
Poem E
通讯作者：
Poem E