O.Eryu: "Formation of a p-n Junction in Silicon Carbide by Aluminum Doping at Room Temperature Using a Pulsed Laser Doping Method." Applied Physics Letters. 67. 2052-2056 (1995)
O.Eryu: "Formation of a p-n Junction in Silicon Carbide by Aluminum Doping at Room Temperature Using a Pulsed Laser Doping Method." Applied Physics Letters. 67. 2052-2056 (1995)
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O.Eryu：“使用脉冲激光掺杂方法在室温下通过铝掺杂在碳化硅中形成 p-n 结。”
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