サブミクロンSi MOSFETの熱・電気連成解析におけるチャンネル部での最適メッシュサイズ The Most Suitable Mesh Size for Channel Region in Electro-Thermal Analysis of Submicron Si MOSFET
サブミクロンSi MOSFETの熱・電気連成解析におけるチャンネル部での最適メッシュサイズ The Most Suitable Mesh Size for Channel Region in Electro-Thermal Analysis of Submicron Si MOSFET
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亚微米硅MOSFET电热分析中沟道区最合适的网格尺寸
DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
岡崎 健
中科院分区:
文献类型:
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作者:
畠山 友行;伏信 一慶;岡崎 健