Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes
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同质外延 m 面 GaN 肖特基势垒二极管中的深能级
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Deki;Y. Ando;K.Nagamatsu;A. Tanaka;M. Kushimoto;S. Nitta;Y. Honda;and H. Amano
