NAND Phase Change Memory with Block Erase Architecture and Pass-Transistor Design Requirements for Write and Disturbance
NAND Phase Change Memory with Block Erase Architecture and Pass-Transistor Design Requirements for Write and Disturbance
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具有块擦除架构的 NAND 相变存储器以及写入和干扰的传输晶体管设计要求
DOI：
10.1587/transele.e97.c.351
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Takeuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Johguchi;K. Yoshioka;K. Takeuchi
