Novel planar Gunn diode operating in fundamental mode up to 158 GHz
Novel planar Gunn diode operating in fundamental mode up to 158 GHz
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新型平面耿氏二极管工作频率高达 158 GHz
DOI：
10.1088/1742-6596/193/1/012029
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发表时间：
2009
影响因子：
1.1
通讯作者：
D. Cumming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chong Li;A. Khalid;N. Pilgrim;M. Holland;G. Dunn;D. Cumming
我们展示了在 GaAs/AlGaAs 量子阱中制造的平面耿氏二极管结构的基本模式操作的实验实现。通过在两侧放置双δ掺杂层来增强有源沟道中的电子密度。小信号测量表明，典型器件在高达 158 GHz 的频率下表现出负电阻。使用这种器件结构，我们展示了工作频率为 115.5 GHz、输出功率为 -28 dBm 的平面耿氏振荡器。
We show the experimental realisation of fundamental mode operation of planar Gunn diode structures fabricated in GaAs/AlGaAs quantum wells. The electron density in the active channel is enhanced by positioning double delta-doping layers on either side. Small signal measurement shows that a typical device exhibits negative resistance up to 158 GHz. Using this device structure we have demonstrated a planar Gunn oscillator working at 115.5 GHz with an output power of -28 dBm.