Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron

Dependence of Optical Response Time on Gate-to-Source Voltage for InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron
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InAlAs/InAs/InGaAs 赝晶高电子光学响应时间对栅源电压的依赖性

DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子：
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通讯作者：
Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Takahisa Ando;Hirohisa Taguchi;Kazuya Uchimura;Miho Mochiduki;Tsutomu Iida and Yoshifumi Takanashi

文献摘要

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