MBE growth of InAs self-assembled quantum dots embedded in GaNAs strain-compensating layers
MBE growth of InAs self-assembled quantum dots embedded in GaNAs strain-compensating layers
复制标题
嵌入 GaN 应变补偿层中的 InAs 自组装量子点的 MBE 生长
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Y. Okada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Hashimoto;R. Oshima;H. Shigekawa;and Y. Okada
