Boron Diffusion in SiO2 Involving High-Concentration Effects
Boron Diffusion in SiO2 Involving High-Concentration Effects
复制标题
硼在 SiO2 中的扩散涉及高浓度效应
DOI：
10.1143/jjap.40.2685
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发表时间：
2000
影响因子：
1.5
通讯作者：
K. Horiuchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Aoyama;H. Arimoto;K. Horiuchi
硼在栅极SiO2中的扩散率随着多晶硅栅极中硼的浓度而增加。描述了一个模型，可以解释的厚度和退火时间的依赖性的硼渗透在p沟道金属氧化物半导体器件。
The diffusivity of boron in gate SiO2 increases with the concentration of boron in the polysilicon gates. A model is described that can explain both the thickness and annealing-time dependencies of the boron penetration in p-channel metal-oxide-semiconductor devices.