アンドープGaAs/AlGaAs量子井戸構造を用いた面内P-(i)-N接合の作製と評価
アンドープGaAs/AlGaAs量子井戸構造を用いた面内P-(i)-N接合の作製と評価
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使用未掺杂的 GaAs/AlGaAs 量子阱结构制作和评估面内 P-(i)-N 结
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大岩顕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
柳谷諭;藤田高史;福田源希;J. Ritzmann;A. Ludwig;A. D. Wieck;大岩顕
