A 1.9 GHz low phase noise complementary cross-coupled FBAR-VCO in 0.18 μm CMOS technology
A 1.9 GHz low phase noise complementary cross-coupled FBAR-VCO in 0.18 μm CMOS technology
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采用 0.18 μm CMOS 技术的 1.9 GHz 低相位噪声互补交叉耦合 FBAR-VCO
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shinji Taniguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Guoqiang Zhang;Awinash Anand;Kei Kamada;Siti Amalina;Haruichi Kanaya;Ramesh Pokharel;Kousuke Hikichi;Shuji Tanaka;Masayoshi Esashi;Ken-ya Hashimoto;Shinji Taniguchi
