X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interfaces of advanced MOSFETs
X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interfaces of advanced MOSFETs
复制标题
先进MOSFET SiO2/Si界面的X射线光电子能谱研究
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hirose and D. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ushimaru;T. Harie;D. Kobayashi;T. Yamamoto;and K. Hirose;K. Hirose and D. Kobayashi
