Characterization of interface defects related to negative-bias temperature instability in ultrathin plasma-nitrided SiON/Si<100>systems
Characterization of interface defects related to negative-bias temperature instability in ultrathin plasma-nitrided SiON/Si<100>systems
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超薄等离子体氮化SiON/Si<100>系统中与负偏压温度不稳定性相关的界面缺陷表征
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Yoshigoe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Fujieda;Y.Miura;M.Saitoh;Y.Teraoka;A.Yoshigoe
