Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs
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复制标题
杂质散射对硅纳米线无结 FET 迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Sano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Ueda;M. Luisier;and N. Sano
