1MeV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCの正孔密度とアクセプタ密度の変化
1MeV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCの正孔密度とアクセプタ密度の変化
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1MeV电子束辐照下Al掺杂6H-SiC空穴密度和受主密度的变化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
伊藤 久義
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井澤 圭亮;蓑原 伸正;外館 憲、松浦 秀治;大島 武;伊藤 久義
