Analysis of Minute StrainFields around Microdefects in Silicion Crystals by Plane-Wave X-Ray Topography
Analysis of Minute StrainFields around Microdefects in Silicion Crystals by Plane-Wave X-Ray Topography
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平面波X射线形貌分析硅晶体微缺陷周围的微小应变场
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ddf.138-139.49
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发表时间：
1996
影响因子：
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通讯作者：
J. Matsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kimura;T. Ishikawa;J. Matsui
