Simulation of an Diode by Using Globally-Hyperbolically-Closed High-Order Moment Models
Simulation of an Diode by Using Globally-Hyperbolically-Closed High-Order Moment Models
复制标题
使用全局双曲闭高阶矩模型模拟二极管
DOI：
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发表时间：
2014
影响因子：
2.5
通讯作者：
Yao, Wenqi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li, Ruo;Lu, Tiao;Wang, Yanli;Yao, Wenqi
