1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)
1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)
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1270V、1.21mΩcm2 SiC埋栅静电感应晶体管(SiC-BGSITs)
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Yatsuo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Tanaka;K. Yano;M. Okamoto;A. Takatsuka;K. Arai;T. Yatsuo
