Pr~(3+)掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃性能及光纤制备
Pr~(3+)掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃性能及光纤制备
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DOI：
10.37188/cjl.20200223
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
王训四
中科院分区：
文献类型：
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作者：
汪俊;冯赞;吴国林;汪金晶;焦凯;王弦歌;刘佳;梁晓林;徐铁松;钟明辉;肖晶;赵浙明;刘自军;刘永兴;王训四
采用熔融淬冷法制备了两种浓度的Pr~(3+)掺杂GeSe_2-Ga_2Se_3-CsI(GGC)硫卤玻璃。在2.0 μm激光激励下,比较了玻璃片(2 mm)和玻璃柱(6 mm)的荧光发射光谱。用Judd-Ofelt理论计算分析了Pr~(3+)掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃的强度参数Ωi(i = 2,4,6)和辐射寿命τ_(rad)等光谱参数。通过拟合衰变曲线,测得了玻璃的荧光寿命值(0.5% Pr~(3+):3.08 ms)。所制备的光纤具备双包层结构,通过截断法得到光纤在7.6 μm处的最低损耗为2.27 dB/cm。