Filamentary resistive switching in amorphous and polycrystalline Nb2O5 thin films
Filamentary resistive switching in amorphous and polycrystalline Nb2O5 thin films
复制标题
DOI：
10.1016/j.sse.2012.01.005
复制
发表时间：
2012-06
影响因子：
1.7
通讯作者：
H. Mähne;L. Berger;Dominik Martin;V. Klemm;S. Slesazeck;S. Jakschik;D. Rafaja;T. Mikolajick
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Mähne;L. Berger;Dominik Martin;V. Klemm;S. Slesazeck;S. Jakschik;D. Rafaja;T. Mikolajick
