A Loadless 4T SRAM Powered by Gate Leakage Current with a High Tolerance for Fluctuations in Device Parameters
A Loadless 4T SRAM Powered by Gate Leakage Current with a High Tolerance for Fluctuations in Device Parameters
复制标题
栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，对器件参数波动具有高耐受性
DOI：
10.35848/1347-4065/ac44ce
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Takashi OHSAWA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yihan ZHU;Takashi OHSAWA
