MOVPE growth of InN films avoiding parasitic reactions of precursors, trimethylindium and 1, 1-dimethylhydrazine
MOVPE growth of InN films avoiding parasitic reactions of precursors, trimethylindium and 1, 1-dimethylhydrazine
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InN 薄膜的 MOVPE 生长避免了前体、三甲基铟和 1, 1-二甲基肼的寄生反应
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Katayama and K. Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Q.T. Thieu;Y. Seki;S. Kuboya;R. Katayama and K. Onabe
