Homogeneous crystalline FeSi2 films of c(4 x 8) phase grown on Si(111) by reactive deposition epitaxy

Homogeneous crystalline FeSi2 films of c(4 x 8) phase grown on Si(111) by reactive deposition epitaxy
复制标题

反应沉积外延法在 Si(111) 上生长 c(4 x 8) 相均质晶体 FeSi2 薄膜

DOI:
--
复制
发表时间:
2013
影响因子:
--
通讯作者:
Xu Li
Xu Li
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
Li-Min Sun;Gao-Min Shi;Xiao-Yong Liu;Xu Li

文献摘要

相似文献