Numerical modeling of RF noise in scaled MOS devices
Numerical modeling of RF noise in scaled MOS devices
复制标题
缩放 MOS 器件中射频噪声的数值模拟
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Meinerzhagen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Jungemann;B. Neinhüs;C. D. Nguyen;A. Scholten;L. Tiemeijer;B. Meinerzhagen
