Band Gap Dependence of Exchange Interactions in III-Nitride Based Diluted Magnetic Semiconductors
Band Gap Dependence of Exchange Interactions in III-Nitride Based Diluted Magnetic Semiconductors
复制标题
III 族氮化物基稀磁半导体中交换相互作用的带隙依赖性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Abdul Majid and Masato Yoshiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Abdul Majid;Farzana Asghar;Usman Ali Rana;Salauh ud Din;Masato Yoshiya;Fayyaz Hussain;Iftikhar Ahmad;Abdul Majid and Masato Yoshiya
