A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate
A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate
复制标题
GaN/蓝宝石模板与AlN/Si(111)衬底上生长的金属有机气相外延InGaN与中间In成分的对比研究
DOI：
10.7567/jjap.52.08jb19
复制
发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
N. Shigekawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Yamamoto;A. Mihara;Y. Zheng;N. Shigekawa
