Selective-area MOVPE fabrication of GaAs hexagonal air-hole arrays on GaAs (111)B substrates using flow-rate modulation mode
Selective-area MOVPE fabrication of GaAs hexagonal air-hole arrays on GaAs (111)B substrates using flow-rate modulation mode
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使用流量调制模式在 GaAs (111)B 衬底上选择性区域 MOVPE 制造 GaAs 六角形气孔阵列
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Junichiro Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshisato YOKOYAMA;Takashi FUKUSHIGE;Seiichi HATA;Kazuya MASU;Akira SHIMOKOHBE;Junichiro Takeda
