第一原理計算によるなのスケールシリコン薄膜の電子状態解析
第一原理計算によるなのスケールシリコン薄膜の電子状態解析
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使用第一原理计算对纳米级硅薄膜进行电子结构分析
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
寺谷 佳之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.N.Minh;T.Oho;N.Sato et al.;上中 恒雄;寺谷 佳之;Hideaki Tsuchiya;Yoshiyuki Teratani;Hideaki Tsuchiya;土屋 英昭;土屋 英昭;寺谷 佳之
