Kanji Yasui: "Growth of high quality SiC films on Si by triode plasma CVD using monomethylsilane"Appl.Surf.Sci.. (in press). (2001)
Kanji Yasui: "Growth of high quality SiC films on Si by triode plasma CVD using monomethylsilane"Appl.Surf.Sci.. (in press). (2001)
复制标题
Kanji Yasui:“使用单甲基硅烷通过三极等离子体 CVD 在硅上生长高质量 SiC 薄膜”Appl.Surf.Sci..(出版中)。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: