Recombination via radiation‐induced defects in field‐effect transistor
Recombination via radiation‐induced defects in field‐effect transistor
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通过场效应晶体管中辐射引起的缺陷进行复合
DOI：
10.1063/1.357073
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发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Charles
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. L. Bras;M. Bendada;P. Mialhe;E. Blampain;J. Charles
P-N结的建模技术已被应用于研究金属氧化物半导体场效应晶体管结构中的电荷传输现象。参数提取方法提供了一个精确的描述，在导电过程中的变化，由于辐射损伤的整体体漏结。空间电荷复合电流的大幅增加与带隙局部辐射诱导缺陷有关。
Modeling techniques of P‐N junctions have been applied for studying charge transport phenomena in metal‐oxide semiconductor field‐effect transistor structures. A parameter extraction method provides a precise description of the changes in conduction processes due to radiation damage in the integral body‐drain junction. A large increase of the space charge recombination current is related to band‐gap localized radiation‐induced defects.