Low-pressure MOCVD growth of p-type ZnO thin films by using NO as the dopant source
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2003.12.061
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发表时间：
2004-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
Weizhong Xu;Z. Ye;Tingting Zhou;Binghui Zhao;Li-ping Zhu;Jingyun Huang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Weizhong Xu;Z. Ye;Tingting Zhou;Binghui Zhao;Li-ping Zhu;Jingyun Huang
