Decrease of Charge Collection due to Displacement Damage by Gamma Rays in a 6H-SiC Diode
Decrease of Charge Collection due to Displacement Damage by Gamma Rays in a 6H-SiC Diode
复制标题
6H-SiC 二极管中伽马射线造成的位移损坏导致电荷收集减少
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kawano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;K. Mishima;S. Hishiki;N. Iwamoto;K. Kojima;K. Kawano
