Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method
Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method
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使用瞬态光电容法表征 SiO2/B 掺杂金刚石的深界面态
DOI：
10.1016/j.tsf.2021.139026
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
and T. Hirose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Maida;D. Kanemoto;and T. Hirose
