Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜の界面を選別した局所価電子状態

Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜の界面を選別した局所価電子状態
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在 Si(110)-16x2 单畴表面上制造的 Hf 和 HfO2 超薄膜界面处选择的局部价态

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
間瀬一彦
間瀬一彦
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
垣内拓大;池田恭平;長岡伸一;間瀬一彦

文献摘要

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