Study on Impact of MOS Interface Passivation Processes on Band Alignment and Flat-Band Voltage of 4H-SiC Gate Stacks
Study on Impact of MOS Interface Passivation Processes on Band Alignment and Flat-Band Voltage of 4H-SiC Gate Stacks
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MOS界面钝化工艺对4H-SiC栅叠层能带对准和平带电压影响的研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koji Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bezhko Mikhail;Suzuki Safumi;Asada Masahiro;Koji Kita
