A selective growth of III-nitride by MOCVD for a buried-ridge type structure
A selective growth of III-nitride by MOCVD for a buried-ridge type structure
复制标题
埋脊型结构的 MOCVD 选择性生长 III 族氮化物
DOI：
--
复制
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Yang;Meoungwhan Cho;Chinkyo Kim;J. Yi;Jina Jeon;S. Khym;Minhong Kim;Yoonho Choi;Shi;Yong
