RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価
RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価
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RF-MBE法InN/InGaN量子阱结构的制备及其评价
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
名西〓之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
黒内正仁;高堂真也;直井弘之;荒木努;名西〓之
