Tellurium n-type doping of highly mismatched amorphous GaN1-As alloys in plasma-assisted molecular beam epitaxy
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等离子体辅助分子束外延中高度失配非晶 GaN1-As 合金的碲 n 型掺杂
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.06.042
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发表时间：
2014
影响因子：
1.8
通讯作者：
Novikov S
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Novikov S
