T.Hanajiri, K.Aoto, T.Hoshino, M.Niizato, Y.Nakajima, T.Toyabe, et al.: "A new approach for quantum mechanical modeling for MOS devices, covering the whole operation region"2^<nd> International Conference on Materials for Advanced Technologies & IUMRS -In
T.Hanajiri, K.Aoto, T.Hoshino, M.Niizato, Y.Nakajima, T.Toyabe, et al.: "A new approach for quantum mechanical modeling for MOS devices, covering the whole operation region"2^<nd> International Conference on Materials for Advanced Technologies & IUMRS -In
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T.Hanajiri、K.Aoto、T.Hoshino、M.Niizato、Y.Nakajima、T.Toyabe 等人：“一种针对 MOS 器件的量子力学建模的新方法，覆盖整个操作区域”2^<nd
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