Growth of type II strained layer superlattice, bulk InAs and GaSb materials for minority lifetime characterization
Growth of type II strained layer superlattice, bulk InAs and GaSb materials for minority lifetime characterization
复制标题
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.08.030
复制
发表时间：
2011-11
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Svensson;D. Donetsky;D. Wang;H. Hier;F. Crowne;G. Belenky
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Svensson;D. Donetsky;D. Wang;H. Hier;F. Crowne;G. Belenky
